文献类型：会议论文

中文题名：深亚微米CMOS集成电路ESD保护技术研究综述

作者：李学文;孙可平;李学军

机构：[1]上海海事大学电磁兼容与静电研究室;[2]甘肃中医学院学生处;

第一机构：上海海事大学电磁兼容与静电研究室

会议论文集：中国物理学会静电专业委员会第十三届学术年会论文集

会议日期：20060000

会议地点：中国河北石家庄

主办单位：中国物理学会静电专业委员会

语种：中文

中文关键词：ESD 保护;集成电路;CMOS 保护器件

年份：2006

摘要：随着 CMOS 技术进入深亚微米领域,CMOS 器件薄栅氧化层厚度、PN 结更浅及器件沟道更短,这就导致 CMOS 集成电路容易遭受 ESD 损害（只需较低的能量和电压就可以损坏 CMOS 器件）。因此,CMOS 器件的 ESD 保护变得既重要,又更加困难。本文介绍深微米 CMOS 集成电路 ESD 保护技术的最新进展,探讨 CMOS 器件保护电路设计和优化中出现的问题,并进行详细讨论。