成果/Result
- 1新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Sb^(3+)的发光性能研究被引量:3收藏
- 作者:王治龙 郑贵森 王世钦 秦青松 周宏亮
- 机构:甘肃中医学院;兰州大学物理科学与技术学院
- 来源:《物理学报》 2012年61卷12期
- JCR:四分区
- 影响因子:1.016
- 关键词:Sr_2SnO_4:Sb^3+ 红外上转换光激励 光存储
- 摘要:采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Sb^(3+).结果表明:208 nm(Sb^(3+)的~1S_0→~1P_1)和265 nm(~1S_0→~3P_1)的紫外光是Sr...
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